PSMN1R9-40YSBX

Nexperia
771-PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSBX

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A

Modello ECAD:
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Nexperia
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-SO8-4
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Marchio: Nexperia
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 13 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 11 ns
Quantità colli di fabbrica: 1500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: N-Channel TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico: 33 ns
Tipico ritardo di accensione: 15 ns
Alias n. parte: 934665891115
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC

I MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC di Nexperia sono alloggiati in package LFPAK56 altamente efficienti e salvaspazio.  Questi MOSFET hanno una potenza nominale elevata. I MOSFET NextPowerS3 supportano una temperatura di giunzione massima di +175°C. Questi MOSFET sono conformi alla direttiva RoHS UE. I MOSFET NextPowerS3 presentano una temperatura di saldatura di picco di +260°C e un intervallo di temperatura di conservazione da -55°C a +175°C. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC-CC e controllo motore CC senza spazzole.