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PMH1200UPEH

Name: Nexperia PMH1200UPEH
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMH1200UPEH
Price: 0.11 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

771-PMH1200UPEH

N. produttore:

PMH1200UPEH

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET SOT8001 P-CH 30V .52A

Scheda dati:

PMH1200UPEH Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 10000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,112 €	0,11 €
	0,065 €	0,65 €
	0,054 €	5,40 €
	0,05 €	10,00 €
	0,046 €	23,00 €
	0,045 €	45,00 €
	0,042 €	105,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 10000)
	0,042 €	420,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-0606-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	520 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.6 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	950 mV
Qg - Carica del gate:	400 pC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	710 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Nexperia
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	670 mS
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	2 ns
Quantità colli di fabbrica:	10000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	4 ns
Tipico ritardo di accensione:	1 ns
Alias n. parte:	934660496125
Peso unità:	0,446 mg

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ECCN:: EAR99

MOSFET di tipo trench DFN0606

I MOSFET a trincea DFN0606 di Nexperia sono progettati per utilizzare la tecnologia MOSFET a trincea per fornire bassa tensione di soglia e commutazione molto rapida. Questi MOSFET di Nexperia presentano protezione da scariche elettrostatiche (ESD) e sono disponibili in un package in plastica a montaggio superficiale (SMD) ultra-piccolo senza piombo DFN0606-3 (SOT8001). Le applicazioni tipiche includono telefoni cellulari, dispositivi indossabili e portatili, accessori per telefoni cellulari, cuffie, auricolari e apparecchi acustici.