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PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 0.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

771-PMDXB550UNEZ

N. produttore:

PMDXB550UNEZ

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

Scheda dati:

PMDXB550UNEZ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,456 €	0,46 €
	0,277 €	2,77 €
	0,177 €	17,70 €
	0,132 €	66,00 €
	0,108 €	108,00 €
	0,107 €	267,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,093 €	465,00 €
	0,082 €	820,00 €
	0,081 €	2.025,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-1010-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	590 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	670 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	450 mV
Qg - Carica del gate:	1.05 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	4.03 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Nexperia
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	600 mS
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7 ns
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	12 ns
Tipico ritardo di accensione:	4 ns
Alias n. parte:	934069326147
Peso unità:	1,290 mg

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KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.