PJD40N15_L2_00001 MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 52 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET N/A
Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 52 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement