Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

NXH011F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH011F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H011F120M3F2PTHG
Price: 109.54 EUR
Availability: InStock

N. Mouser:

863-H011F120M3F2PTHG

N. produttore:

NXH011F120M3F2PTHG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Moduli MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NXH011F120M3F2PTHG Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NXH011F120M3F2PTHG

A magazzino: 12

A magazzino:: 12 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 21 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	109,54 €	109,54 €
	108,37 €	1.083,70 €
	108,36 €	10.836,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Press Fit
Package/involucro:	PIM-34
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	105 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	16 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.72 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	244 W
Serie:	NXH011F120M3F2PTHG
Confezione:	Tray
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Full Bridge
Tempo di caduta:	12.6 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	12.7 ns
Quantità colli di fabbrica:	20
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	EliteSiC
Tipo:	Full Bridge
Ritardo di spegnimento tipico:	110.5 ns
Tipico ritardo di accensione:	30.9 ns
Vf - Tensione diretta:	5.21 V

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NXH011F120M3F2PTHG Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

I MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 di OnStraw sono moduli di potenza contenenti un ponte completo e un termistore in un package F1. Questi MOSFET presentano termistori e pin montati a pressione. I moduli NXH0x0F120MNF1 forniscono sia materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) che senza opzioni VIM pre-applicate. Questi moduli sono idealmente utilizzati in inverter solari, gruppi di continuità, stazioni di ricarica per veicoli elettrici e energia industriale. I moduli NXH0x0F120MNF1 sono privi di piombo, alogeni e conformi a RoHS. Questi moduli presentano un intervallo di temperatura di conservazione da -40°C a 150°C nell’intervallo di temperatura di conservazione e un intervallo di temperatura di esercizio della giunzione da -40°C a 175°C.