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NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 149.78 EUR
Availability: InStock

N. Mouser:

863-H007F120M3F2PTHG

N. produttore:

NXH007F120M3F2PTHG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Moduli MOSFET 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NXH007F120M3F2PTHG Scheda dati

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Press Fit
Package/involucro:	PIM-34
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	149 A
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.72 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	353 W
Serie:	NXH007F120M3F2PTHG
Confezione:	Tray
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Full Bridge
Tempo di caduta:	13.2 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	12 ns
Quantità colli di fabbrica:	20
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	EliteSiC
Tipo:	Full Bridge
Ritardo di spegnimento tipico:	121.6 ns
Tipico ritardo di accensione:	37.2 ns
Vf - Tensione diretta:	5.03 V

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Scheda dati

NXH007F120M3F2PTHG Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

I MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 di OnStraw sono moduli di potenza contenenti un ponte completo e un termistore in un package F1. Questi MOSFET presentano termistori e pin montati a pressione. I moduli NXH0x0F120MNF1 forniscono sia materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) che senza opzioni VIM pre-applicate. Questi moduli sono idealmente utilizzati in inverter solari, gruppi di continuità, stazioni di ricarica per veicoli elettrici e energia industriale. I moduli NXH0x0F120MNF1 sono privi di piombo, alogeni e conformi a RoHS. Questi moduli presentano un intervallo di temperatura di conservazione da -40°C a 150°C nell’intervallo di temperatura di conservazione e un intervallo di temperatura di esercizio della giunzione da -40°C a 175°C.