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NVMYS6D2N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS6D2N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS6D2N06CLTWG
Price: 1.6 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVMYS6D2N06CLTWG

N. produttore:

NVMYS6D2N06CLTWG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T6 60V LL LFPAK

Scheda dati:

NVMYS6D2N06CLTWG Scheda dati

Modello ECAD:

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	0,486 €	486,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	LFPAK-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	71 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	6.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	20 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	61 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NVMYS6D2N06CL
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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