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NVMYS5D3N04CTWG

Name: onsemi NVMYS5D3N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS5D3N04CTWG
Price: 1.39 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVMYS5D3N04CTWG

N. produttore:

NVMYS5D3N04CTWG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

Scheda dati:

NVMYS5D3N04CTWG Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,39 €	1,39 €
	0,886 €	8,86 €
	0,589 €	58,90 €
	0,464 €	232,00 €
	0,408 €	408,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	LFPAK-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	71 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	16 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	50 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	53 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	72 ns
Serie:	NVMYS5D3N04C
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	24 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns
Peso unità:	75 mg

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Scheda dati

NVMYS5D3N04CTWG Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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