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NVMYS3D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D3N06CLTWG
Price: 1.94 EUR
Availability: Discontinued

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N. Mouser:

863-NVMYS3D3N06CLTWG

N. produttore:

NVMYS3D3N06CLTWG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

NVMYS3D3N06CLTWG Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,94 €	1,94 €
	1,21 €	12,10 €
	0,857 €	85,70 €
	0,701 €	350,50 €
	0,637 €	637,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,637 €	1.911,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	LFPAK-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	133 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	40.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	100 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	96 ns
Transconduttanza diretta - Min:	130 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	58 ns
Serie:	NVMYS3D3N06CL
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	66 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns
Peso unità:	75 mg

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Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.