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NVMFWS1D1N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D1N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D1N04XMT1G
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-VMFWS1D1N04XMT1G

N. produttore:

NVMFWS1D1N04XMT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NVMFWS1D1N04XMT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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	1,47 €	14,70 €
	1,01 €	101,00 €
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Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,734 €	1.101,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFNW-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	233 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.05 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	49.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	104 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5.5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	152 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6.7 ns
Serie:	NVMFWS1D1N04XM
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	34.1 ns
Tipico ritardo di accensione:	21.2 ns

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Scheda dati

NVMFWS1D1N04XMT1G Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N singolo

I MOSFET di potenza N-Channel singoli di Onsemi sono progettati per progetti compatti ed efficienti con un ingombro ridotto. Questi MOSFET di potenza hanno bassa_RDS(ON), bassa _QG e capacità elettrica riducendo al minimo le perdite di conduzione e driver. Questi MOSFET sono disponibili con tensioni di drain-source di 40 V, 60 V e 80 V e una tensione di gate-sorgente di ±20 V. I MOSFET di potenza a canale N singolo Onsemi sono privi di piombo e conformi a RoHS.