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NVMFWS004N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS004N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N04XMT1G
Price: 1.37 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-VMFWS004N04XMT1G

N. produttore:

NVMFWS004N04XMT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NVMFWS004N04XMT1G Scheda dati

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,37 €	1,37 €
	0,869 €	8,69 €
	0,579 €	57,90 €
	0,475 €	237,50 €
	0,43 €	430,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,381 €	571,50 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	66 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	10.6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	38 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	45.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4 ns
Serie:	NVMFWS004N04XM
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	17.2 ns
Tipico ritardo di accensione:	11.9 ns

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Scheda dati

NVMFWS004N04XMT1G Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N singolo

I MOSFET di potenza N-Channel singoli di Onsemi sono progettati per progetti compatti ed efficienti con un ingombro ridotto. Questi MOSFET di potenza hanno bassa_RDS(ON), bassa _QG e capacità elettrica riducendo al minimo le perdite di conduzione e driver. Questi MOSFET sono disponibili con tensioni di drain-source di 40 V, 60 V e 80 V e una tensione di gate-sorgente di ±20 V. I MOSFET di potenza a canale N singolo Onsemi sono privi di piombo e conformi a RoHS.