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NVMFS6H818NLT1G

Name: onsemi NVMFS6H818NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H818NLT1G
Price: 4.59 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVMFS6H818NLT1G

N. produttore:

NVMFS6H818NLT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T8 80V LL SO8FL

Scheda dati:

NVMFS6H818NLT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,59 €	4,59 €
	3,06 €	30,60 €
	2,19 €	219,00 €
	2,11 €	1.055,00 €
	1,79 €	1.790,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO-8FL-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	135 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	64 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	140 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NVMFS6H818NL
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

NVMFS6H818NLT1G Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ R_DS(on)resistance ranges. Features include low R_DS(on) to minimize conduction losses, low Q_G, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

MOSFET Trench8

I MOSFET Trench8 di onsemi presentano bassa resistenza massima ON (R_DS(ON), bassissima carica del gate (Q_g) e bassa (Q_g) x R_DS(ON), una figura di merito (FOM) fondamentale per i MOSFET utilizzata nelle applicazioni di conversione di potenza. Offrendo prestazioni di commutazione ottimizzate basate su tecnologia T6, i MOSFET Trench8 offrono una riduzione dal 35% al 40% i Q_g e Q_oss rispetto alle serie Trench6. I MOSFET Trench8 di onsemi sono disponibili in una vasta gamma di tipi di package per una maggiore flessibilità nella progettazione. Per le applicazioni automobilistiche sono disponibili opzioni qualificate AEC-Q101 e PPAP. Molti di questi dispositivi sono offerti in pacchetti con flangia bagnabile, consentendo l'ispezione ottica automatizzata (AOI).