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NTTFSSCH0D7N02X

Name: onsemi NTTFSSCH0D7N02X
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH0D7N02X
Price: 2.21 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTTFSSCH0D7N02X

N. produttore:

NTTFSSCH0D7N02X

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NTTFSSCH0D7N02X Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,21 €	2,21 €
	1,43 €	14,30 €
	1,02 €	102,00 €
	0,851 €	425,50 €
	0,81 €	810,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,688 €	3.440,00 €
	0,671 €	6.710,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WDFN-9
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	310 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	580 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	33 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	87 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	57 ns
Transconduttanza diretta - Min:	190 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Serie:	NTTFSSCH0D7N02X
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	26 ns
Tipico ritardo di accensione:	4 ns

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Scheda dati

NTTFSSCH0D7N02X Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N singolo

I MOSFET di potenza N-Channel singoli di Onsemi sono progettati per progetti compatti ed efficienti con un ingombro ridotto. Questi MOSFET di potenza hanno bassa_RDS(ON), bassa _QG e capacità elettrica riducendo al minimo le perdite di conduzione e driver. Questi MOSFET sono disponibili con tensioni di drain-source di 40 V, 60 V e 80 V e una tensione di gate-sorgente di ±20 V. I MOSFET di potenza a canale N singolo Onsemi sono privi di piombo e conformi a RoHS.