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NTTFS5D9N08HTWG

Name: onsemi NTTFS5D9N08HTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS5D9N08HTWG
Price: 2.36 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTTFS5D9N08HTWG

N. produttore:

NTTFS5D9N08HTWG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3

Scheda dati:

NTTFS5D9N08HTWG Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,36 €	2,36 €
	1,52 €	15,20 €
	1,05 €	105,00 €
	0,851 €	425,50 €
	0,815 €	815,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,795 €	2.385,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WDFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	84 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	20 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	100 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NTTFS5D9N08H
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

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PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Trench8

I MOSFET Trench8 di onsemi presentano bassa resistenza massima ON (R_DS(ON), bassissima carica del gate (Q_g) e bassa (Q_g) x R_DS(ON), una figura di merito (FOM) fondamentale per i MOSFET utilizzata nelle applicazioni di conversione di potenza. Offrendo prestazioni di commutazione ottimizzate basate su tecnologia T6, i MOSFET Trench8 offrono una riduzione dal 35% al 40% i Q_g e Q_oss rispetto alle serie Trench6. I MOSFET Trench8 di onsemi sono disponibili in una vasta gamma di tipi di package per una maggiore flessibilità nella progettazione. Per le applicazioni automobilistiche sono disponibili opzioni qualificate AEC-Q101 e PPAP. Molti di questi dispositivi sono offerti in pacchetti con flangia bagnabile, consentendo l'ispezione ottica automatizzata (AOI).

MOSFET a canale N PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL

I MOSFET NTTFSxD1N0xHL Onsemi di potenza a canale N PowerTrench® impiegano la tecnologia MOSFET a gate schermato ad alte prestazioni per una R_DS(on) estremamente bassa. Questi MOSFET a canale singolo onsemi offrono bassi rumori di commutazione/basse EMI e progettazione del package robusta MSL1 testata UIL al 100%. I MOSFET NTTFSxD1N0xHL sono disponibili in un package WDFN8 senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono i convertitori CC-CC buck, punto di carico, interruttore di carico ad alta efficienza carico e commutazione low-side, FET ORing, alimentatori CC-CC e convertitori buck sincroni MV.