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NTP011N15MC

Name: onsemi NTP011N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP011N15MC
Price: 2 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTP011N15MC

N. produttore:

NTP011N15MC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 150V N-FET TO220

Scheda dati:

NTP011N15MC Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,00 €	2,00 €
	1,58 €	15,80 €
	1,49 €	149,00 €
	1,36 €	680,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	74.3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	37 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	136.4 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NTP011N15MC
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

NTP011N15MC Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench® a gate schermato

I MOSFET Shielded Gate PowerTrench® Onsemi sono di tipo N-channel e offrono prestazioni di commutazione ottimizzate. Questo MOSFET presenta una bassacarica di recupero inverso (Qrr) e diodo per corpo morbido per una commutazione abasso rumore superiore. I MOSFET PowerTrench a gate schermato di Onsemi forniscono alta efficienza con minori picchi di commutazione e interferenza elettromagnetica (EMI). migliorano la FOM (Figure of Merit) di commutazione. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono per unità di alimentazione (PSU) per telecomunicazioni, azionamenti per motori, gruppi statici di continuità (UPS) e inverter solari micro.