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NTMYS021N06CLTWG

Name: onsemi NTMYS021N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS021N06CLTWG
Price: 1.28 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMYS021N06CLTWG

N. produttore:

NTMYS021N06CLTWG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 60V 26A 21Ohm

Scheda dati:

NTMYS021N06CLTWG Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,28 €	1,28 €
	0,764 €	7,64 €
	0,646 €	64,60 €
	0,524 €	262,00 €
	0,407 €	407,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,407 €	1.221,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	LFPAK-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	27 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	21 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	28 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	1.5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	37 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	12 ns
Serie:	NTMYS021N06CL
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	12 ns
Tipico ritardo di accensione:	4 ns
Peso unità:	75 mg

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Scheda dati

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.

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onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.