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NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 4.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFS7D5N15MC

N. produttore:

NTMFS7D5N15MC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

Scheda dati:

NTMFS7D5N15MC Scheda dati

Modello ECAD:

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	2,03 €	2.030,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PQFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	95.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	46 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	166.7 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	91 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Serie:	NTMFS7D5N15MC
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	32 ns
Tipico ritardo di accensione:	27 ns

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Scheda dati

NTMFS7D5N15MC Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench® a gate schermato

I MOSFET PowerTrench® a gate schermato di Onsemi sono MOSFET a canale N che minimizzano la resistenza in stato attivo e mantengono prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo a corpo morbido della classe. Questi MOSFET offrono un Q_rr inferiore rispetto ad altri MOSFET. I MOSFET Onsemi PowerTrench a gate schermato riducono il rumore di commutazione/l'interferenza elettromagnetica (EMI). Questi MOSFET presentano bassa R_DS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa Q_G e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. I MOSFET PowerTrench a gate schermato sono disponibili in un piccolo package PQFN8 con dimensioni di 5 mm x 6 mm per progetti compatti. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR), gli alimentatori CA-CC e CC-CC, gli adattatori CA-CC (USB Power Delivery) SR e gli interruttori di carico.

MOSFET PowerTrench® a gate schermato NTMFS7D5N15MC

Il MOSFET PowerTrench® a gate schermato a canale N NTMFS7D5N15MC di onsemi è prodotto utilizzando un processo PowerTrench avanzato che incorpora la tecnologia a gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in conduzione e mantenere comunque prestazioni di commutazione superiori con un diodo soft-body di qualità eccellente. Il modello NTMFS7D5N15MC di onsemi riduce il rumore di commutazione, le interferenze elettromagnetiche, la capacità (per minimizzare le perdite del driver) e la resistenza R _{DS (on}) (per minimizzare le perdite di conduzione).

Soluzioni per la conservazione dell'energia

I sistemi di accumulo di energia (ESS) di onsemi immagazzinano l'elettricità proveniente da varie fonti energetiche, come carbone, nucleare, eolica e solare, in diverse forme, tra cui batterie (elettrochimiche), aria compressa (meccanica) e sali fusi (termici). Questa soluzione si concentra sui sistemi di conservazione dell'energia della batteria collegati ai sistemi di inverter solare.