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NTMFS4D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS4D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D5N08XT1G
Price: 1.38 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

863-NTMFS4D5N08XT1G

N. produttore:

NTMFS4D5N08XT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NTMFS4D5N08XT1G Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,38 €	1,38 €
	0,877 €	8,77 €
	0,589 €	58,90 €
	0,482 €	241,00 €
	0,422 €	422,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,389 €	583,50 €
	0,353 €	1.059,00 €
	0,35 €	3.150,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	94 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.6 V
Qg - Carica del gate:	15 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	82 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	30 ns
Transconduttanza diretta - Min:	61 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	24 ns
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	16 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns

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Scheda dati

NTMFS4D5N08XT1G Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET T10 a bassa/media tensione

I MOSFET T10 a bassa/media tensione di Onsemi sono MOSFET di potenza a canale N singolo nelle categorie 40 V e 80 V con prestazioni migliorate, efficienza di sistema migliorata e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza presentano bassi R_DS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite driver. I MOSFET a bassa/media tensione T10 offrono un Q_RR ridotto e un diodo di recupero di corpo morbido. Questi MOSFET sono conformi alla normativa RoHS e sono senza piombo e senza alogeni/BFR. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, l'interruttore principale in convertitori CC-CC isolati, la protezione della batteria e gli azionamenti motori.