NTMFS4D0N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS4D0N04XMT1G
NTMFS4D0N04XMT1G

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Ciclo di vita:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.9 mOhms
20 V
3.5 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 9 ns
Transconduttanza diretta - Min: 32 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 8 ns
Quantità colli di fabbrica: 1500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 10 ns
Tipico ritardo di accensione: 7 ns
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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

MOSFET T10 a bassa/media tensione

I MOSFET T10 a bassa/media tensione di Onsemi sono MOSFET di potenza a canale N singolo nelle categorie 40 V e 80 V con prestazioni migliorate, efficienza di sistema migliorata e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza presentano bassi RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite driver. I MOSFET a bassa/media tensione T10 offrono un QRR ridotto e un diodo di recupero di corpo morbido. Questi MOSFET sono conformi alla normativa RoHS e sono senza piombo e senza alogeni/BFR. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, l'interruttore principale in convertitori CC-CC isolati, la protezione della batteria e gli azionamenti motori.