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NTMFS0D5N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D5N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D5N04XMT1G
Price: 2.73 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFS0D5N04XMT1G

N. produttore:

NTMFS0D5N04XMT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Scheda dati:

NTMFS0D5N04XMT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,73 €	2,73 €
	1,78 €	17,80 €
	1,36 €	136,00 €
	1,14 €	570,00 €
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Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	414 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	520 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	97.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	163 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7.91 ns
Transconduttanza diretta - Min:	267 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9.73 ns
Serie:	NTMFS0D5N04XM
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	46.1 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns

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Scheda dati

NTMFS0D5N04XMT1G Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza da 40 V

I MOSFET di potenzaOnsemi 40 V funzionalità di tecnologia standard a livello di gate e vantano la migliore resistenza di conduzione della categoria. I MOSFET di Onsemi sono progettati per applicazioni di driver per motori. I dispositivi minimizzano efficacemente le perdite di conduzione e pilotaggio con una minore resistenza in conduzione e una carica del gate ridotta. Inoltre, i MOSFET forniscono un eccellente controllo della malleabilità per il recupero inverso del diodo del corpo, riducendo in tal modo lo stress dei picchi di tensione, ovviando alla necessità di implementazione di un circuito snubber aggiuntivo nelle applicazioni.

PowerTrench Technology

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Cloud Power Management Solutions

onsemi Cloud Power Management Solutions offers computing and connectivity essential for infrastructure. onsemi Cloud Power Management Solutions' power is critical for processors, memory banks, and wireless base stations. As operations shift to the Cloud, the importance of efficiency and reliability grows. AI servers, in particular, require a reliable power source to ensure optimal performance and efficiency, making solutions crucial for maintaining the integrity and functionality of AI-driven operations. onsemi provides diverse solutions for AC-DC conversion, multiphase conversion, point-of-load supplies, and hot-swap protection to support various power needs in cloud infrastructure. Cutting-edge technology, dependable performance, and deep application expertise make onsemi an ideal partner for powering data in today’s environment, whether in base stations, servers, or data centers.