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NTMFS0D4N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D4N04XMT1G
Price: 3.28 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFS0D4N04XMT1G

N. produttore:

NTMFS0D4N04XMT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Scheda dati:

NTMFS0D4N04XMT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	509 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	420 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	133 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	197 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	13 ns
Transconduttanza diretta - Min:	286 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	11.1 mm
Serie:	NTMFS0D4N04XM
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	49.4 ns
Tipico ritardo di accensione:	34.5 ns

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Scheda dati

NTMFS0D4N04XMT1G Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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