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MOSFET PowerTrench® a gate schermato

I MOSFET PowerTrench® a gate schermato di Onsemi sono MOSFET a canale N che minimizzano la resistenza in stato attivo e mantengono prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo a corpo morbido della classe. Questi MOSFET offrono un Q_rr inferiore rispetto ad altri MOSFET. I MOSFET Onsemi PowerTrench a gate schermato riducono il rumore di commutazione/l'interferenza elettromagnetica (EMI). Questi MOSFET presentano bassa R_DS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa Q_G e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. I MOSFET PowerTrench a gate schermato sono disponibili in un piccolo package PQFN8 con dimensioni di 5 mm x 6 mm per progetti compatti. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR), gli alimentatori CA-CC e CC-CC, gli adattatori CA-CC (USB Power Delivery) SR e gli interruttori di carico.