NTH4L012N065M3S

onsemi
863-NTH4L012N065M3S
NTH4L012N065M3S

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
102 A
17 mOhms
- 10 V, 22.6 V
4 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 12 ns
Confezione: Tube
Prodotto: SiC MOSFET
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 23 ns
Serie: NTH4L012N065M3S
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 49 ns
Tipico ritardo di accensione: 5 ns
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Attributi selezionati: 0

USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) 650 V

I MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) 650 V di Onsemi utilizzano una tecnologia che fornisce prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza In conduzione e le dimensioni del chip compatte garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema. Il package TOLL di onsemi offre migliori prestazioni termiche ed eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla configurazione della sorgente Kelvin e alla minore induttanza della sorgente parassita. Il package TOLL offre un livello di sensibilità all'umidità 1 (MSL 1).