Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

NTBLS1D1N08XTXG

Name: onsemi NTBLS1D1N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D1N08XTXG
Price: 4.98 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-NTBLS1D1N08XTXG

N. produttore:

NTBLS1D1N08XTXG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T10 80V SG TOLL

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NTBLS1D1N08XTXG Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NTBLS1D1N08XTXG

Disponibilità

A magazzino:: 0

Puoi ancora acquistare questo prodotto per l'ordine in sospeso.

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 2.000

27/03/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 23

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,98 €	4,98 €
	3,47 €	34,70 €
	2,81 €	281,00 €
	2,49 €	1.245,00 €
	2,14 €	2.140,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	2,14 €	4.280,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H-PSOF-8L
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	299 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.6 V
Qg - Carica del gate:	120 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	197 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	152 ns
Transconduttanza diretta - Min:	294 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	118 ns
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	40 ns
Tipico ritardo di accensione:	22 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NTBLS1D1N08XTXG Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET T10 a bassa/media tensione

I MOSFET T10 a bassa/media tensione di Onsemi sono MOSFET di potenza a canale N singolo nelle categorie 40 V e 80 V con prestazioni migliorate, efficienza di sistema migliorata e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza presentano bassi R_DS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite driver. I MOSFET a bassa/media tensione T10 offrono un Q_RR ridotto e un diodo di recupero di corpo morbido. Questi MOSFET sono conformi alla normativa RoHS e sono senza piombo e senza alogeni/BFR. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, l'interruttore principale in convertitori CC-CC isolati, la protezione della batteria e gli azionamenti motori.