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NTB7D3N15MC

Name: onsemi NTB7D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB7D3N15MC
Price: 2.88 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTB7D3N15MC

N. produttore:

NTB7D3N15MC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK

Scheda dati:

NTB7D3N15MC Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,88 €	2,88 €
	1,99 €	19,90 €
	1,70 €	170,00 €
	1,69 €	845,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)
	1,51 €	1.208,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	101 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	53 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	166 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NTB7D3N15MC
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

NTB7D3N15MC Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench® a gate schermato

I MOSFET PowerTrench® a gate schermato di Onsemi sono MOSFET a canale N che minimizzano la resistenza in stato attivo e mantengono prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo a corpo morbido della classe. Questi MOSFET offrono un Q_rr inferiore rispetto ad altri MOSFET. I MOSFET Onsemi PowerTrench a gate schermato riducono il rumore di commutazione/l'interferenza elettromagnetica (EMI). Questi MOSFET presentano bassa R_DS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa Q_G e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. I MOSFET PowerTrench a gate schermato sono disponibili in un piccolo package PQFN8 con dimensioni di 5 mm x 6 mm per progetti compatti. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR), gli alimentatori CA-CC e CC-CC, gli adattatori CA-CC (USB Power Delivery) SR e gli interruttori di carico.