NTB011N15MC

onsemi
863-NTB011N15MC
NTB011N15MC

Produttore:

Descrizione:
MOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
75.4 A
10.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
37 nC
+ 175 C
3.75 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Tipo di prodotto: MOSFETs
Serie: NTB011N15MC
Quantità colli di fabbrica: 800
Sottocategoria: Transistors
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET PowerTrench® a gate schermato

I MOSFET PowerTrench® a gate schermato di Onsemi sono MOSFET a canale N che minimizzano la resistenza in stato attivo e mantengono prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo a corpo morbido della classe. Questi MOSFET offrono un Qrr inferiore rispetto ad altri MOSFET. I MOSFET Onsemi PowerTrench a gate schermato riducono il rumore di commutazione/l'interferenza elettromagnetica (EMI). Questi MOSFET presentano bassa RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. I MOSFET PowerTrench a gate schermato sono disponibili in un piccolo package PQFN8 con dimensioni di 5 mm x 6 mm per progetti compatti. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR), gli alimentatori CA-CC e CC-CC, gli adattatori CA-CC (USB Power Delivery) SR e gli interruttori di carico.