NSV1C301CTWG

onsemi
863-NSV1C301CTWG
NSV1C301CTWG

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive

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onsemi
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
REACH - SVHC:
LFPAK-4
NSS1C301CT
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

Transistor a bassa VCE (sat) e2PowerEdge

I transistor onsemi e2PowerEdge Low VCE(sat) sono dispositivi miniaturizzati a montaggio superficiale caratterizzati da una tensione di saturazione ultra bassa (VCE(sat)) e da un'elevata capacità di guadagno di corrente. Questi sono progettati per applicazioni di commutazione ad alta velocità e bassa tensione, dove è essenziale un controllo dell'energia efficiente e conveniente. Le applicazioni tipiche sono convertitori CC-CC e risparmio energetico in prodotti portatili e alimentati a batteria come telefoni cellulari e senza fili, PDA, computer, stampanti, fotocamere digitali e lettori MP3. Altre applicazioni sono controlli motore a bassa tensione in prodotti di archiviazione di massa come unità disco e a nastro. Possono essere utilizzati per l’installazione di airbag e per i cluster di strumenti nel settore automobilistico. L’alto guadagno di corrente consente ai dispositivi Onsemi e2PowerEdge di essere pilotati direttamente dalle uscite di controllo PMU e il guadagno lineare (Beta) li rende i componenti ideali negli amplificatori analogici.