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NSS40301MDR2G

Name: onsemi NSS40301MDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40301MDR2G
Price: 1.16 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NSS40301MDR2G

N. produttore:

NSS40301MDR2G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

Scheda dati:

NSS40301MDR2G Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,16 €	1,16 €
	0,732 €	7,32 €
	0,484 €	48,40 €
	0,378 €	189,00 €
	0,344 €	344,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,306 €	765,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Polarità transistor:	NPN
Configurazione:	Dual
Corrente CC massima collettore:	3 A
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	40 V
Tensione base-collettore VCBO:	40 V
Tensione emettitore-base VEBO:	6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	82 mV
Pd - Dissipazione di potenza:	783 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:	100 MHz
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	NSS40301MD
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Guadagno in corrente CC hFE max:	200 at 10 mA, 2 V
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	143 mg

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Scheda dati

NSS40301MDR2G Scheda dati

PCN

SPICE Models

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Transistor a bassa VCE (sat) e2PowerEdge

I transistor onsemi e2PowerEdge Low _VCE(sat)sono dispositivi miniaturizzati a montaggio superficiale caratterizzati da una tensione di saturazione ultra bassa _(VCE(sat))e da un'elevata capacità di guadagno di corrente. Questi sono progettati per applicazioni di commutazione ad alta velocità e bassa tensione, dove è essenziale un controllo dell'energia efficiente e conveniente. Le applicazioni tipiche sono convertitori CC-CC e risparmio energetico in prodotti portatili e alimentati a batteria come telefoni cellulari e senza fili, PDA, computer, stampanti, fotocamere digitali e lettori MP3. Altre applicazioni sono controlli motore a bassa tensione in prodotti di archiviazione di massa come unità disco e a nastro. Possono essere utilizzati per l’installazione di airbag e per i cluster di strumenti nel settore automobilistico. L’alto guadagno di corrente consente ai dispositivi Onsemi e2PowerEdge di essere pilotati direttamente dalle uscite di controllo PMU e il guadagno lineare (Beta) li rende i componenti ideali negli amplificatori analogici.