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NSF080120L3A0Q

Name: Nexperia NSF080120L3A0Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF080120L3A0
Price: 7.04 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

771-NSF080120L3A0

N. produttore:

NSF080120L3A0Q

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET SiC TO247 1.2KV 36A N-CH SIC

Scheda dati:

NSF080120L3A0Q Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,04 €	7,04 €
	4,28 €	42,80 €
	3,55 €	426,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	36 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	120 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.9 V
Qg - Carica del gate:	44 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	202 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Nexperia
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	14 ns
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	14 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Alias n. parte:	934665928127

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Scheda dati

NSF080120L3A0Q Scheda dati (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC da 1200 V

I MOSFET SiC Nexperia da 1.200 V sono alloggiati nel TO-247-3 a 3 pin e TO-247-4 a 4 pin per il montaggio della PCB a foro passante. I MOSFET Nexperia sono ideali per applicazioni industriali ad alta potenza e ad alto voltaggio grazie all'eccellente stabilità termica e alla velocità di commutazione rapida. Queste applicazioni includono infrastrutture di ricarica per veicoli elettronici, inverter fotovoltaici e unità di azionamento motori.