Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

MSCSM120DHM31CTBL2NG

Name: Microchip MSCSM120DHM31CTBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DHM31CTBL2NG
Price: 118.34 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

579-M120DHM31CTBL2NG

N. produttore:

MSCSM120DHM31CTBL2NG

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

Scheda dati:

MSCSM120DHM31CTBL2NG Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Microchip Technology MSCSM120DHM31CTBL2NG

A magazzino: 4

A magazzino:: 4 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 18 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Le quantità superiori a 4 saranno soggette a requisiti di ordini minimi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	118,34 €	118,34 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::
Prodotto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnologia:	SiC
Vf - Tensione diretta:	1.5 V
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Stile di montaggio:	Screw Mount
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Asymmetrical Bridge
Tempo di caduta:	25 ns
Id - corrente di drain continua:	79 A
Pd - Dissipazione di potenza:	310 W
Tipo di prodotto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	31 mOhms
Tempo di salita:	30 ns
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polarità transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

MSCSM120DHM31CTBL2NG Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Moduli di alimentazione MOSFET MSCSM120x

I moduli di potenza MOSFET MSCSM120x di Microchip Technology sono convertitori ad alta efficienza che presentano un substrato Si₃n₄ con rame spesso per migliori prestazioni termiche. Questi moduli offrono un basso profilo, montaggio diretto sul dissipatore di calore (package isolato), un termistore interno per il monitoraggio della temperatura e un intervallo di temperatura esteso. I moduli MSCSM120x operano a tensione inversa (V_R) da 1,2 kV, intervallo di tensione gate-source da -10 V a 25 V (V_GS), dissipazione di potenza (P_d) da 310 W/560 W e corrente di drain continua (i_d) da 79 A/150 A. Questi moduli sono utilizzati in applicazioni come sistemi di alimentazione ad alta affidabilità, convertitori CA/CC e CC/CA ad alta efficienza, controllo motori e interruttori CA.