MSCSM120DAM31CTBL1NG

Microchip Technology
579-M120DAM31CTBL1NG
MSCSM120DAM31CTBL1NG

Produttore:

Descrizione:
Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Microchip
Categoria prodotto: Moduli a semiconduttori discreti
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
- 55 C
+ 175 C
Marchio: Microchip Technology
Configurazione: Boost Chopper
Tempo di caduta: 25 ns
Id - corrente di drain continua: 79 A
Pd - Dissipazione di potenza: 310 W
Tipo di prodotto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 31 mOhms
Tempo di salita: 30 ns
Quantità colli di fabbrica: 1
Sottocategoria: Discrete Semiconductor Modules
Polarità transistor: N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 50 ns
Tipico ritardo di accensione: 30 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source: 1.2 kV
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Moduli di alimentazione MOSFET MSCSM120x

I moduli di potenza MOSFET MSCSM120x di Microchip Technology sono convertitori ad alta efficienza che presentano un substrato Si3n4 con rame spesso per migliori prestazioni termiche. Questi moduli offrono un basso profilo, montaggio diretto sul dissipatore di calore (package isolato), un termistore interno per il monitoraggio della temperatura e un intervallo di temperatura esteso. I moduli MSCSM120x operano a tensione inversa (VR) da 1,2 kV, intervallo di tensione gate-source da -10 V a 25 V (VGS), dissipazione di potenza (Pd) da 310 W/560 W e corrente di drain continua (id) da 79 A/150 A. Questi moduli sono utilizzati in applicazioni come sistemi di alimentazione ad alta affidabilità, convertitori CA/CC e CC/CA ad alta efficienza, controllo motori e interruttori CA.