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MSC030SMB120B4N

Name: Microchip MSC030SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC030SMB120B4N
Price: 10.04 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

579-MSC030SMB120B4N

N. produttore:

MSC030SMB120B4N

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

MSC030SMB120B4N Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	10,04 €	10,04 €
	9,25 €	277,50 €
	8,06 €	967,20 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	69 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	40 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	91 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	310 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	16 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	32 ns
Tipico ritardo di accensione:	18 ns

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ECCN:: EAR99

MOSFET SIC di 1.200 V

I MOSFET SIC di 1.200 V di Microchip Technology offrono un'alta efficienza in una soluzione più leggera e compatta. I dispositivi forniscono una bassa resistenza del gate interno (ESR), con conseguente elevata velocità di commutazione. I MOSFET sono semplici da azionare e facili da mettere in parallelo, con capacità termiche migliorate e minori perdite di commutazione.