Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

MRFE6VP6300HR5

Name: NXP MRFE6VP6300HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP6300HR5
Price: 466.46 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

841-MRFE6VP6300HR5

N. produttore:

MRFE6VP6300HR5

Produttore:

NXP Semiconductors

Descrizione:

Transistor RF MOSFET VHV6 300W50VISM NI780H-4

Scheda dati:

MRFE6VP6300HR5 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR5

A magazzino: 527

A magazzino:: 527 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 10 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 50)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	466,46 €	466,46 €
	406,63 €	4.066,30 €
	401,47 €	10.036,75 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 50)
	382,69 €	19.134,50 €
100	Offerta

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	NXP
Categoria prodotto:	Transistor RF MOSFET
RoHS::
Polarità transistor:	N-Channel
Tecnologia:	Si
Vds - Tensione di rottura drain-source:	130 V
Frequenza di lavoro:	1.8 MHz to 600 MHz
Guadagno:	26.5 dB
Potenza di uscita:	300 W
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	NI-780-4
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	NXP Semiconductors
Numero di canali:	2 Channel
Pd - Dissipazione di potenza:	1.05 kW
Tipo di prodotto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP6300H
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source:	+ 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.7 V
Alias n. parte:	935317343178
Peso unità:	6,396 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

MRFE6VP6300HR5 Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.