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MRFE6VP5600HR5

Name: NXP MRFE6VP5600HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP5600HR5
Price: 635.84 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

841-MRFE6VP5600HR5

N. produttore:

MRFE6VP5600HR5

Produttore:

NXP Semiconductors

Descrizione:

Transistor RF MOSFET VHV6 600W 50V NI1230H

Scheda dati:

MRFE6VP5600HR5 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	NXP
Categoria prodotto:	Transistor RF MOSFET
RoHS::
Polarità transistor:	N-Channel
Tecnologia:	Si
Id - corrente di drain continua:	2 A
Vds - Tensione di rottura drain-source:	130 V
Frequenza di lavoro:	1.8 MHz to 600 MHz
Guadagno:	25 dB
Potenza di uscita:	600 W
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	NI-1230
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	NXP Semiconductors
Pd - Dissipazione di potenza:	1.667 kW
Tipo di prodotto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP5600H
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source:	+ 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.7 V
Alias n. parte:	935310538178
Peso unità:	13,155 g

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Scheda dati

MRFE6VP5600HR5 Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.