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MR4A08BYS35

Name: Everspin Technologies MR4A08BYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A08BYS35
Price: 37.55 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

936-MR4A08BYS35

N. produttore:

MR4A08BYS35

Produttore:

Everspin Technologies

Descrizione:

MRAM 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM

Scheda dati:

MR4A08BYS35 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	37,55 €	37,55 €
	34,71 €	347,10 €
	33,72 €	843,00 €
540	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Everspin Technologies
Categoria prodotto:	MRAM
RoHS::
Package/involucro:	TSOP-II-44
Tipo di interfaccia:	Parallel
Dimensioni memoria:	16 Mbit
Organizzazione:	2 M x 8
Larghezza bus dati:	8 bit
Tempo di accesso:	35 ns
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Corrente di alimentazione operativa:	60 mA, 152 mA
Temperatura di lavoro minima:	0 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 70 C
Serie:	MR4A08B
Confezione:	Tray
Marchio:	Everspin Technologies
Sensibili all’umidità:	Yes
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza:	600 mW
Tipo di prodotto:	MRAM
Quantità colli di fabbrica:	135
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Nome commerciale:	Parallel I/O (x8)
Peso unità:	12,083 g

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Scheda dati

MR4A08BYS35 Scheda dati (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.