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MR2A08ACYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08ACYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08ACYS35
Price: 30.66 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

936-MR2A08ACYS35

N. produttore:

MR2A08ACYS35

Produttore:

Everspin Technologies

Descrizione:

MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

Scheda dati:

MR2A08ACYS35 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	30,66 €	30,66 €
	28,36 €	283,60 €
	27,45 €	686,25 €
	26,77 €	1.338,50 €
	25,83 €	2.583,00 €
	25,16 €	6.793,20 €
1.080	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Everspin Technologies
Categoria prodotto:	MRAM
RoHS::
Package/involucro:	TSOP-II-44
Tipo di interfaccia:	Parallel
Dimensioni memoria:	4 Mbit
Organizzazione:	512 k x 8
Larghezza bus dati:	8 bit
Tempo di accesso:	35 ns
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Corrente di alimentazione operativa:	30 mA, 90 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Serie:	MR2A08A
Confezione:	Tray
Marchio:	Everspin Technologies
Sensibili all’umidità:	Yes
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza:	600 mW
Tipo di prodotto:	MRAM
Quantità colli di fabbrica:	135
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Nome commerciale:	Parallel I/O (x8)
Peso unità:	5 g

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Scheda dati

MR2A08ACYS35 Scheda dati (PDF)

Application Notes

Improved Magnetic Immunity on 4Mb (256KbX16), 4mb (512kbX8) and 1Mb (64KbX16) TSOP2 Industrial and Extended Temperature Grade Products (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.