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MR20H40CDF

Name: Everspin Technologies MR20H40CDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR20H40CDF
Price: 25.9 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

936-MR20H40CDF

N. produttore:

MR20H40CDF

Produttore:

Everspin Technologies

Descrizione:

MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

Scheda dati:

MR20H40CDF Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Everspin Technologies
Categoria prodotto:	MRAM
RoHS::
Package/involucro:	DFN-8
Tipo di interfaccia:	SPI
Dimensioni memoria:	4 Mbit
Organizzazione:	512 k x 8
Larghezza bus dati:	8 bit
Tempo di accesso:	20 ns
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Corrente di alimentazione operativa:	13.8 mA, 33 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Serie:	MR20H40
Confezione:	Tray
Marchio:	Everspin Technologies
Sensibili all’umidità:	Yes
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza:	600 mW
Tipo di prodotto:	MRAM
Quantità colli di fabbrica:	570
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Nome commerciale:	Serial I/O (SPI)
Peso unità:	37,400 mg

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Scheda dati

MR20H40CDF Scheda dati (PDF)

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Codici di conformità

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 854232031
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Taiwan
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

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MR20H40CDF

Produttore: Everspin Technologies

Descrizione: MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

Caratteristiche tecniche

Documenti (1)

Scheda dati

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

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MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

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