MR20H40CDF

Everspin Technologies
936-MR20H40CDF
MR20H40CDF

Produttore:

Descrizione:
MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

Modello ECAD:
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Everspin Technologies
Categoria prodotto: MRAM
RoHS::  
DFN-8
SPI
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
20 ns
3 V
3.6 V
13.8 mA, 33 mA
- 40 C
+ 85 C
MR20H40
Tray
Marchio: Everspin Technologies
Sensibili all’umidità: Yes
Stile di montaggio: SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza: 600 mW
Tipo di prodotto: MRAM
Quantità colli di fabbrica: 570
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Nome commerciale: Serial I/O (SPI)
Peso unità: 37,400 mg
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CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232031
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.