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MR0A08BCYS35

Name: Everspin Technologies MR0A08BCYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A08BCYS35
Price: 19.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

936-MR0A08BCYS35

N. produttore:

MR0A08BCYS35

Produttore:

Everspin Technologies

Descrizione:

MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

Scheda dati:

MR0A08BCYS35 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	19,50 €	19,50 €
	18,06 €	180,60 €
	17,49 €	437,25 €
	17,06 €	853,00 €
	16,46 €	1.646,00 €
	16,03 €	4.328,10 €
	15,32 €	8.272,80 €
1.080	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Everspin Technologies
Categoria prodotto:	MRAM
RoHS::
Package/involucro:	TSOP-II-44
Tipo di interfaccia:	Parallel
Dimensioni memoria:	1 Mbit
Organizzazione:	128 k x 8
Larghezza bus dati:	8 bit
Tempo di accesso:	35 ns
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Corrente di alimentazione operativa:	25 mA, 55 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Serie:	MR0A08B
Confezione:	Tray
Marchio:	Everspin Technologies
Sensibili all’umidità:	Yes
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza:	600 mW
Tipo di prodotto:	MRAM
Quantità colli di fabbrica:	135
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Nome commerciale:	Parallel I/O (x8)
Peso unità:	5,066 g

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Scheda dati

MR0A08BCYS35 Scheda dati (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.