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MJD41CJ

Name: Nexperia MJD41CJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-MJD41CJ
Price: 1.08 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

771-MJD41CJ

N. produttore:

MJD41CJ

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT

Scheda dati:

MJD41CJ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,08 €	1,08 €
	0,666 €	6,66 €
	0,432 €	43,20 €
	0,361 €	180,50 €
	0,359 €	359,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,262 €	655,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	NPN
Configurazione:	Single
Corrente CC massima collettore:	6 A
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	100 V
Tensione emettitore-base VEBO:	6 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.5 V
Pd - Dissipazione di potenza:	15 W
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:	3 MHz
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Nexperia
Corrente continua collettore:	6 A
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	30 V at 0.3 mA, 4 V
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	934662264118

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Scheda dati

MJD41CJ Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Transistor bipolari BJT e MJD

I transistor bipolari BJT e MJD di Nexperia offrono elevate prestazioni termiche ed elettriche. La famiglia di transistor bipolari di alta qualità e alta affidabilità (certificati AEC-Q101) e di consumo/industriale certificati MJD da 2 A a 8 A include diciassette parti nelle versioni NPN e PNP da 45 V a 100 V. Questi ben noti dispositivi con ingombro standard del settore integrano il portafoglio esistente di transistor di potenza bipolari ad alte prestazioni di Nexperia’ in LFPAK e ampliano ulteriormente l'offerta totale di alimentazione discreta bipolare dell’azienda. Le applicazioni includono illuminazione per il settore automobilistico a LED, dimming della retroilluminazione negli schermi LCD, regolatori di tensione lineari, sostituzione relè, unità motore, stampanti laser e driver MOSFET.

Transistor bipolari da 100 V 6 A MJD41C e MJD42C

I transistor bipolari ad alta potenza da 100 V 6 A MJD41C E MJD42C di Nexperia offrono un'elevata dissipazione di potenza termica in un package in plastica a montaggio superficiale (SMD) TO-252 (SOT428C). Questi dispositivi offrono un'elevata efficienza energetica grazie alla bassa generazione di calore e presentano una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore. Gli MJD41C e MJD42C di Nexperia sono ideali per una vasta gamma di applicazioni, tra cui regolatori di tensione lineari, gestione dell'alimentazione e retroilluminazione di azionamento di corrente costante. I transistor MJD41C-QJ e MJD42C-QJ sono qualificati AEC-Q101.