MJD31CHQ-13

Diodes Incorporated
621-MJD31CHQ-13
MJD31CHQ-13

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diodes Incorporated
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-3
NPN
Single
100 V
120 V
7 V
1.2 V
2.6 W
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
Marchio: Diodes Incorporated
Corrente continua collettore: 3 A
Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 10 V
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD

I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono transistor bipolari qualificati AEC-Q101, con capacità PPAP e prodotti in impianti certificati IATF16949. Ogni dispositivo ha una tensione di rottura collettore-emettitore di 50 V o 100 V (minimo). I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono disponibili in un package TO-252 (DPAK) e sono ideali per applicazioni di commutazione di potenza o amplificazione.