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MJD2873Q-13

Name: Diodes Incorporated MJD2873Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD2873Q-13
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

621-MJD2873Q-13

N. produttore:

MJD2873Q-13

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Scheda dati:

MJD2873Q-13 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,628 €	0,63 €
	0,379 €	3,79 €
	0,249 €	24,90 €
	0,19 €	95,00 €
	0,168 €	168,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	NPN
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	50 V
Tensione base-collettore VCBO:	70 V
Tensione emettitore-base VEBO:	7 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	300 mV
Pd - Dissipazione di potenza:	2.6 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Qualifica:	AEC-Q100
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Diodes Incorporated
Corrente continua collettore:	2 A
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	40
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD

I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono transistor bipolari qualificati AEC-Q101, con capacità PPAP e prodotti in impianti certificati IATF16949. Ogni dispositivo ha una tensione di rottura collettore-emettitore di 50 V o 100 V (minimo). I transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD di Diodes Inc. sono disponibili in un package TO-252 (DPAK) e sono ideali per applicazioni di commutazione di potenza o amplificazione.