MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 115

A magazzino:
115 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
26 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Le quantità superiori a 115 saranno soggette a requisiti di ordini minimi.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
9,79 € 9,79 €
7,53 € 75,30 €
7,04 € 176,00 €
6,39 € 639,00 €
6,10 € 1.525,00 €
5,86 € 2.930,00 €
5,41 € 5.410,00 €
2.500 Offerta

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marchio: STMicroelectronics
Caratteristiche: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Tensione di ingresso - Max: 15 V
Tensione di ingresso - Min.: 3.3 V
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 225 mOhms
Quantità colli di fabbrica: 1560
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Peso unità: 150 mg
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Driver ad alta tensione a mezzo ponte GaN MASTERGAN

I driver ad alta tensione GaN a mezzo ponte MASTERGAN di STMicroelectronics implementano un’alimentazione ad alta densità di potenza con l’integrazione di un driver di porta e di due transistor GaN ad arricchimento in una configurazione a mezzo ponte. I GaN di potenza integrata presentano un RDS (ON) di tensione di rottura drain-source di 150 mΩ e 650 V. Il diodo di bootstrap integrato può alimentare rapidamente il lato a monte del driver di porta integrato.