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MASTERGAN3TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN3TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN3TR
Price: 4.39 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-MASTERGAN3TR

N. produttore:

MASTERGAN3TR

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

Driver di porta High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Scheda dati:

MASTERGAN3TR Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,39 €	4,39 €
	3,73 €	37,30 €
	3,57 €	89,25 €
	3,41 €	341,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	2,82 €	8.460,00 €
6.000	Offerta

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-31
Numero di driver:	2 Driver
Numero di uscite:	4 Output
Corrente di uscita:	4 A, 6.5 A
Tensione di alimentazione - Min.:	4.75 V
Tensione di alimentazione - Max.:	9.5 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	GaN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Driver ad alta tensione a mezzo ponte GaN MASTERGAN

I driver ad alta tensione GaN a mezzo ponte MASTERGAN di STMicroelectronics implementano un’alimentazione ad alta densità di potenza con l’integrazione di un driver di porta e di due transistor GaN ad arricchimento in una configurazione a mezzo ponte. I GaN di potenza integrata presentano un R_{DS (ON)} di tensione di rottura drain-source di 150 mΩ e 650 V. Il diodo di bootstrap integrato può alimentare rapidamente il lato a monte del driver di porta integrato.