MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marchio: STMicroelectronics
Ritardo di spegnimento massimo: 45 ns
Ritardo di accensione massimo: 45 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Corrente di alimentazione operativa: 10 A
Pd - Dissipazione di potenza: 40 mW
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max: 70 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 330 mOhms
Spegnimento: Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
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Attributi selezionati: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Driver ad alta tensione a mezzo ponte GaN MASTERGAN

I driver ad alta tensione GaN a mezzo ponte MASTERGAN di STMicroelectronics implementano un’alimentazione ad alta densità di potenza con l’integrazione di un driver di porta e di due transistor GaN ad arricchimento in una configurazione a mezzo ponte. I GaN di potenza integrata presentano un RDS (ON) di tensione di rottura drain-source di 150 mΩ e 650 V. Il diodo di bootstrap integrato può alimentare rapidamente il lato a monte del driver di porta integrato.