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LF2190NTR

Name: IXYS LF2190NTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2190NTR
Price: 1.73 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-LF2190NTR

N. produttore:

LF2190NTR

Produttore:

IXYS Integrated Circuits

Descrizione:

Driver di porta HI LO Side DRVR 3.5A SOIC(N)-8

Scheda dati:

LF2190NTR Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,73 €	1,73 €
	1,28 €	12,80 €
	1,17 €	29,25 €
	1,04 €	104,00 €
	0,98 €	245,00 €
	0,946 €	473,00 €
	0,944 €	944,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,944 €	2.360,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Driver ICs - Various
Tipo:	High-Side, Low-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	2 Output
Tensione di alimentazione - Min.:	10 V
Tensione di alimentazione - Max.:	20 V
Tempo di salita:	25 ns
Tempo di caduta:	20 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	IXYS Integrated Circuits
Tipo di logica:	CMOS, TTL
Ritardo di spegnimento massimo:	200 ns
Ritardo di accensione massimo:	200 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	75 uA
Pd - Dissipazione di potenza:	625 mW
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	50 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si

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Scheda dati

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate driver per MOSFET e IGBT a canale N

I gate driver IXYS per MOSFET e IGBT a canale N includono gate driver ad alta tensione e CI di gate driver trifase. Questi dispositivi sono progettati per azionare due MOSFET a canale N o IGBT in una configurazione a mezzo ponte o una configurazione a monte/a valle. La tecnologia ad alta tensione consente al lato a monte di passare a 600 V in un funzionamento bootstrap. I driver forniscono buffer di corrente a impulsi elevati progettati per una conduzione trasversale minima del driver. Le altre caratteristiche includono ingressi logici con capacità di 3,3 V, ingressi logici attivati da Schmitt e protezione da blocco sottotensione (UVLO). I gate driver di IXYS per MOSFET e IGBT a canale N operano in un ampio intervallo di temperature da -40 °C a +125 °C.

CI di gate driver lato alto e lato basso

I CI dei gate driver lato alto e lato basso di IXYS offrono capacità di corrente di uscita dissipatore/sorgente da 600 mA/290 mA a 4,5 A/4,5 A. I dispositivi presentano un ampio intervallo di tensione di funzionamento da 10 V a 20 V. Le protezioni includono il blocco sottotensione (UVLO) e la protezione da sovracorrente. I CI dei gate driver lato alto e lato basso IXYS operano da -40 °C a +125 °C e sono disponibili in package SOIC-8 , SOIC-14 , SOIC-16 e piedinatura standard di settore.