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LF2113BTR

Name: IXYS LF2113BTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2113BTR
Price: 2.22 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-LF2113BTR

N. produttore:

LF2113BTR

Produttore:

IXYS Integrated Circuits

Descrizione:

Driver di porta HI LO Side DRVR 600V 2A SOIC-16

Scheda dati:

LF2113BTR Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,22 €	2,22 €
	1,66 €	16,60 €
	1,51 €	37,75 €
	1,36 €	136,00 €
	1,28 €	320,00 €
	1,25 €	625,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	1,25 €	1.875,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-16
Numero di driver:	2 Driver
Numero di uscite:	2 Output
Tensione di alimentazione - Min.:	10 V
Tensione di alimentazione - Max.:	20 V
Tempo di salita:	15 ns
Tempo di caduta:	13 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	IXYS Integrated Circuits
Tipo di logica:	CMOS
Ritardo di spegnimento massimo:	94 ns
Ritardo di accensione massimo:	105 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	56 uA
Pd - Dissipazione di potenza:	1.25 W
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	20 ns
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si

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Scheda dati

LF2113BTR Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate driver per MOSFET e IGBT a canale N

I gate driver IXYS per MOSFET e IGBT a canale N includono gate driver ad alta tensione e CI di gate driver trifase. Questi dispositivi sono progettati per azionare due MOSFET a canale N o IGBT in una configurazione a mezzo ponte o una configurazione a monte/a valle. La tecnologia ad alta tensione consente al lato a monte di passare a 600 V in un funzionamento bootstrap. I driver forniscono buffer di corrente a impulsi elevati progettati per una conduzione trasversale minima del driver. Le altre caratteristiche includono ingressi logici con capacità di 3,3 V, ingressi logici attivati da Schmitt e protezione da blocco sottotensione (UVLO). I gate driver di IXYS per MOSFET e IGBT a canale N operano in un ampio intervallo di temperature da -40 °C a +125 °C.

CI di gate driver lato alto e lato basso

I CI dei gate driver lato alto e lato basso di IXYS offrono capacità di corrente di uscita dissipatore/sorgente da 600 mA/290 mA a 4,5 A/4,5 A. I dispositivi presentano un ampio intervallo di tensione di funzionamento da 10 V a 20 V. Le protezioni includono il blocco sottotensione (UVLO) e la protezione da sovracorrente. I CI dei gate driver lato alto e lato basso IXYS operano da -40 °C a +125 °C e sono disponibili in package SOIC-8 , SOIC-14 , SOIC-16 e piedinatura standard di settore.