KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 10.05 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

473-M4G3C818BGCEAT

N. produttore:

KTDM4G3C818BGCEAT

Produttore:

SMARTsemi

Descrizione:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

Scheda dati:

KTDM4G3C818BGCEAT Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SMART
Categoria prodotto:	DRAM
RoHS::
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Dimensioni memoria:	4 Gbit
Larghezza bus dati:	8 bit
Frequenza di clock massima:	933 MHz
Package/involucro:	FBGA-78
Organizzazione:	512 M x 8
Tensione di alimentazione - Min.:	1.283 V
Tensione di alimentazione - Max.:	1.575 V
Temperatura di lavoro minima:	0 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Confezione:	Tray
Marchio:	SMARTsemi
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	TW
Sensibili all’umidità:	Yes
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Tipo di prodotto:	DRAM
Quantità colli di fabbrica:	210
Sottocategoria:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.