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IXTT1N450HV

Name: IXYS IXTT1N450HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT1N450HV
Price: 41.81 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

747-IXTT1N450HV

N. produttore:

IXTT1N450HV

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET

Scheda dati:

IXTT1N450HV Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	41,81 €	41,81 €
	33,46 €	334,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	4.5 kV
Id - corrente di drain continua:	3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	80 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	46 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	520 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	120 ns
Transconduttanza diretta - Min:	0.4 S
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	43 ns
Serie:	IXTT1N450
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	73 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Peso unità:	4 g

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PCN

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.