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IXTT02N450HV

Name: IXYS IXTT02N450HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT02N450HV
Price: 27.1 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXTT02N450HV

N. produttore:

IXTT02N450HV

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET

Scheda dati:

IXTT02N450HV Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	27,10 €	27,10 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	4.5 kV
Id - corrente di drain continua:	200 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	625 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	10.6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	113 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	143 ns
Transconduttanza diretta - Min:	90 mS
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	48 ns
Serie:	IXTT02N450
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	28 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns
Peso unità:	4 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.