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IXSH65N120L2KHV

Name: IXYS IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH65N120L2KHV
Price: 8.62 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXSH65N120L2KHV

N. produttore:

IXSH65N120L2KHV

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IXSH65N120L2KHV Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	8,62 €	8,62 €
	6,54 €	65,40 €
	5,44 €	544,00 €
	4,85 €	2.182,50 €
	4,33 €	3.897,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4L
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	65 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	52 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	110 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	375 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10.5 ns
Confezione:	Tube
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	22.1 ns
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19.3 ns
Tipico ritardo di accensione:	9.6 ns

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IXSH65N120L2KHV Scheda dati (PDF)

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MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di conduzione [R_DS(ON)]. La resistenza in stato di conduzione è compresa tra 25 mΩ e 160 mΩ, e la corrente continua di scarico (I_D) è compresa tra 20 A e 111 A. Questi dispositivi offrono commutazione ad alta velocità con bassa capacità e hanno una diodo corporeo intrinseco ultraveloce. Sono disponibili con una tensione di uscita-sorgente (V_DSS) nominale di 650 V o 1.200 V. I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx sono disponibili in tre involucri (TO-263-7L, TOLL-8 e TO-247-4L).